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AO3419 功率MOS管 AO3419图1

AO3419 功率MOS管 AO3419

2024-11-18 21:14360询价
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 AO3419型号 AO3419品牌 AO3419封装AO3419备注 
 AO3419 AOS美国万代代理商 SOT-23全新原装现货 

AO3419 P沟道 -20VSOT-23

AO3419PDF文件

AO3419产品描述：

   ao3419采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），门低栅极电荷和操作电压低至2.5V。本装置适用于负载开关应用。

 

AO3419产品特点：

VDS                                 -20V

ID (atVGS=-10V)              -3.5A

RDS(ON) (at VGS=-10V)    <85mΩ

RDS(ON) (at VGS= -4.5V)  <102mΩ

RDS(ON) (at VGS= -2.5V)   <140mΩ

 

AO3419产品内部原理图：

AO3419产品规格：

 

FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.5A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值）85 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值）1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）4.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）400pF @ 10V
功率 - Zui大值1.4W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3L

 

AO3419产品其他型号选型：

 

AO4614BSO-8AOS美国万代
AO4616SO-8AOS美国万代
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文章来源：深圳市创立翔科技有限公司

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