未进行预先烘干的比较例I、预先烘干温度为150 °C的比较例2、及预先烘干后的放置时间为90分钟的比较例3~5中，吸附于Pt基板表面的H2量为1.6 X ~2 · 2 X10-1Qg/cm2，Η20量为3 · 2 X 10-1Q~4 · I X 10-9g/cm2，及⑶量为5 · 3 X 10-1Q~5· 9 X 10- 9g/cm2。并且，比较例1~5中，涂膜中产生针孔，LaNiO3薄膜中产生空隙。相对于此，预先烘干温度为200~400 °C，预先烘干时间为1~5分钟，预先烘干后的放置时间为0~60分钟的实施例1~12中，吸附于Pt基板表面的H2量为2 · 0 X 10-12~9 · 8 X 10-ng/cm2，H2O量为7 · 2 X10-11~ 2.5 X 10-1Vcm2，及CO量为1.2 X 10-1(3~3.9 X10-1Vcm2，低于比较例1~5。并且，实施例1~ 12中，涂膜中完全不会产生针孔，LaNiO3薄膜中完全不会产生空隙。并且，对于比较例1~5 的LaNiO3薄膜，通过目测观察到部分凹凸，对于实施例1~12的LaNiO3薄膜具有目测时 没有凹凸的均匀的膜厚。
在与实施例1相同的Pt基板上进行5分钟 预先烘干，在23 ± 2 °C下50 ± 10%的大气中将该Pt基板放置60分钟之后，通过TDS法测定吸附于Pt基板表面的分子种类。另一方面，以与上述相同的条件对上述Pt基板进行预先烘干， 在23 ± 2 °C下50 ± 10%的大气中放置60分钟之后，立即将Pt基板移动到旋转涂布机上，在Pt基板上旋涂表1所示的组合物No.6。接着，与实施例1同样地，进行干燥、临时烧结及烧成而 形成LaNi〇3薄膜。
在23 ± 2 °C下50 ± 10 %的大气中将该Pt基板放置90分钟之后，通过TDS法测定吸附于Pt基板表面的分子种类。另一方面，以与上述相同的条件对上述Pt基板进行预先烘干， 在23 ± 2 °C下50 ± 10%的大气中放置60分钟之后，立即将Pt基板移动到旋转涂布机上，在Pt基板上旋涂表1所示的组合物No.4。接着，与实施例1同样地，进行干燥、临时烧结及烧成而 形成LaNi〇3薄膜。
